【導讀】高像素CIS的像素微縮與集成度提升持續驅動技術演進，單芯片方案需在噪聲、感光與速度上達到同等水準。8月20日，2026強芯TOP100榜單在南京ICDIA創芯大會發布，格科GC50F0——全球首顆0.64μm單芯片5000萬像素CMOS圖像傳感器，榮獲“創新突破獎”。本文從單芯片架構、工藝協同及產業化三方面解析其技術突破。
“2026中國強芯評選”由中國集成電路設計創新聯盟組織開展，旨在遴選具有技術競爭力和應用價值的國產IC產品。其中，“創新突破獎”重點表彰在芯片技術或應用方面取得重大突破，并已量產上市、經過市場驗證的產品。
GC50F0是全球首顆0.64μm單芯片5000萬像素CMOS圖像傳感器，光學尺寸1/2.8"，可適配主攝、超廣角、長焦及前置攝像頭，并支持DAG HDR、相位對焦（PDAF）及4K 60fps視頻錄制。
單芯片架構創新，突破高像素集成難題
區別于行業主流堆棧架構，GC50F0采用格科自主創新的單芯片集成架構，通過工藝與電路設計創新，突破高像素CIS單晶圓集成的工藝挑戰，并優化噪聲表現及電源抗干擾能力，將高像素單芯片技術路線進一步拓展至0.64μm小像素5000萬像素產品。
設計與制造協同，攻克小像素核心挑戰
隨著像素尺寸持續縮小，CIS在像素隔離、感光和晶體管性能等方面面臨更高挑戰。依托自有12英寸Fab與GalaxyCell?特色工藝，GC50F0在0.64μm小像素下實現了感光、噪聲與高速讀出性能的綜合優化。
GC50F0通過優化光電二極管之間的離子注入工藝及深溝槽隔離設計，增強像素間隔離能力；在感光性能方面，通過增加硅厚度改善光吸收率，提升小像素靈敏度；同時，改善晶體管的溝道界面質量，優化噪聲水平和高速讀出能力，兼顧高畫質與高幀率需求。
基于上述技術創新，讀出噪聲和隨機電報信號噪聲相較同規格產品降低約50%，有效提升信噪比，改善暗光成像的細節表現。
目前，GC50F0已獲得國際知名手機品牌客戶訂單并進入量產階段，技術創新獲得市場驗證。
此次榮獲“創新突破獎”，是行業對GC50F0技術創新與產業化能力的認可。未來，格科將持續推進CIS核心技術創新與產品迭代，拓展高像素產品的應用場景與市場空間。
GC50F0證明單芯片架構在0.64μm尺度上可實現量產級高像素性能。其通過單芯片集成與12英寸特色工藝，在像素隔離、感光及噪聲優化上系統突破，讀出噪聲較同規格降低約50%，已獲國際品牌訂單并量產。該產品為格科打開旗艦CIS市場空間，也為國產高像素傳感器從替代走向創新提供了參照。
