【導讀】近日，三安光電旗下湖南三安歷經(jīng)三年專項攻堅，成功實現(xiàn)低電阻碳化硅襯底技術(shù)重大突破，成為全球少數(shù)掌握該項核心技術(shù)的企業(yè)，標志著三安光電在核心半導體材料領(lǐng)域的技術(shù)實力持續(xù)夯實，為AI服務(wù)器電源、新能源汽車等高端應(yīng)用領(lǐng)域提供關(guān)鍵支撐。
隨著AI數(shù)據(jù)中心、云計算等算力基礎(chǔ)設(shè)施高速發(fā)展，服務(wù)器電源成為決定數(shù)據(jù)中心PUE值和運營成本的核心關(guān)鍵。主流服務(wù)器電源需滿足80 PLUS鈦金級（效率≥96%）及更高能效標準，傳統(tǒng)硅基器件已逼近物理極限，難以兼顧高效率與小型化需求。
破解行業(yè)難題，實現(xiàn)低電阻高品質(zhì)雙向兼顧
作為理想替代材料的碳化硅，常規(guī)襯底電阻率偏高（約20mΩ?cm），若進一步降低電阻，極易產(chǎn)生層錯、位錯等缺陷，導致良率低、成本高，制約其在服務(wù)器電源領(lǐng)域的大規(guī)模應(yīng)用。碳化硅襯底電阻每降低1mΩ?cm，器件導通電阻可下降2%-4%，對服務(wù)器電源而言，這意味著更低發(fā)熱、更小散熱器、更高開關(guān)頻率，從而縮小變壓器與電容，助力電源模塊向超高效（98%-99%）與小尺寸邁進。
三安光電在晶體生長、純度控制、缺陷抑制等環(huán)節(jié)實現(xiàn)關(guān)鍵突破，碳化硅襯底平均電阻率穩(wěn)定至11mΩ?cm，較傳統(tǒng)量產(chǎn)20mΩ?cm減半，同時層錯、位錯、微管、面型等指標對標量產(chǎn)標準，成功破解"低電阻與高品質(zhì)" 不可兼得的行業(yè)難題。
可靠性驗證：1000小時零失效，具備量產(chǎn)能力
值得關(guān)注的是該低電阻碳化硅襯底并非實驗室樣品，而是經(jīng)過嚴苛驗證的成熟、可靠、可批量生產(chǎn)的產(chǎn)品。三安光電已完成外延、器件全流程驗證，首批配套芯片通過1000小時可靠性測試，實現(xiàn)零失效。目前，湖南三安已完全具備量產(chǎn)能力，隨時可按需規(guī)模化供貨。客戶無需調(diào)整后段工藝即可無縫升級，大幅降低應(yīng)用門檻與升級成本。
疊加尺寸迭代，賦能多領(lǐng)域提效
低電阻碳化硅襯底帶來更低導通損耗、更高功率密度與更精簡的熱管理方案，助力數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)向鈦金級乃至更高能效邁進。同時，疊加碳化硅產(chǎn)業(yè)從6英寸向8英寸的迭代趨勢，將進一步攤薄制造成本。
三安光電將持續(xù)深耕低電阻碳化硅襯底等先進技術(shù)研發(fā)，加速碳化硅器件在服務(wù)器電源、新能源汽車、高壓快充、光伏儲能、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的大規(guī)模滲透，推動第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈向高性能、低成本、高可靠方向升級，為全球綠色能源轉(zhuǎn)型提供堅實的材料基礎(chǔ)。
